目前，深紫外LED外延片生長技術(shù)主要采用金屬有機化學(xué)氣相沉積法。該方法基于LED外延片生長的基本原理。深紫外LED外延片生長的基本原理是在襯底（主要是藍寶石、sic、SI）加熱到合適的溫度時，控制in、GA、al、P等氣體物質(zhì)向襯底表面的傳輸，生長出特定的單晶薄膜

深紫外LED外延片的制備過程非常復(fù)雜。外延片開發(fā)完成后，從每個外延片中隨機選擇9個點進行測試。符合要求的為良品，其余為劣品（電壓偏差大、波長長等）。優(yōu)質(zhì)LED產(chǎn)品的外延片應(yīng)制成電極（P極和N極）。

然后激光切割，然后100%分揀。根據(jù)不同的電壓、波長和亮度進行全自動分揀，形成LED晶圓（方形晶圓）。然后，進行目視檢查，找出有輕微缺陷或電極磨損的零件。這些是后向散射晶體。

此時，藍色薄膜上的晶片不符合正常裝運要求，自然會變成邊緣晶片或粗糙晶片。有缺陷的外延晶片（主要是因為一些參數(shù)不符合要求）不需要是方形晶片，電極（P極和N極）不需要單獨檢查，也就是現(xiàn)在市場上的LED晶片（其中也有好東西，如方形等）。

半導(dǎo)體制造商主要使用拋光硅片和外延硅片作為集成電路的原材料。外延晶片在20世紀(jì)80年代初被使用。它們具有一些標(biāo)準(zhǔn)PWs中未發(fā)現(xiàn)的電氣特性，消除了晶體生長和后續(xù)晶圓加工過程中引入的許多表面/近表面缺陷。