目前，UVC LED芯片表面的主要問題是氮化鋁材料難以生長，嚴(yán)重的預(yù)反應(yīng)導(dǎo)致低轉(zhuǎn)換效率。

散熱問題

根據(jù)節(jié)能原理，未轉(zhuǎn)化為光的電能以熱能的形式呈現(xiàn)，LED芯片的使用壽命與溫度成反比。由于紫外LED芯片發(fā)光效率低，產(chǎn)生的熱量高，需要極高的散熱。

根據(jù)現(xiàn)有的散熱方法，大功率UVB/UVC發(fā)光芯片很難實現(xiàn)有效的散熱。即使在多芯片集成UVC LED光源中，也有一些需要安裝冷卻風(fēng)扇，這增加了成本。

良率問題

UVC LED芯片光電轉(zhuǎn)換效率低，很難在短時間內(nèi)實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。在這一階段，行業(yè)通常會調(diào)整材料和功率，以實現(xiàn)功率改進。

然而，由于外延芯片上存在大量表面缺陷，小尺寸（低功率）可以避免切割階段的缺陷，而大尺寸則更難避免，導(dǎo)致大尺寸（高功率）芯片的成品率較低。、

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